OTS: DB HiTek spúšťa sprístupňovanie technológie 650V GaN HEMT pre zákazníkov

– Kľúčová technológia poháňa vysokú efektívnosť a miniaturizáciu dátových centier AI, robotiky a iné aplikácie

– Špecializovaná súprava GaN MPW plánovaná na koniec októbra

– Rozšírenie expertízy BCD na zložené polovodiče vrátane GaN a SiC

SOUL, Južná Kórea 11. septembra (TASR/OTS) - /PRNewswire/ – DB HiTek, popredná špecializovaná zlieváreň 8-palcových waferov, dnes oznámila, že je v záverečnej fáze vývoja svojho procesu 650V E-Mode GaN HEMT (Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistor), teda platformy výkonových polovodičov novej generácie. Spoločnosť tiež koncom októbra ponúkne špecializovaný program GaN MPW (multi-project wafer).

V porovnaní s tradičnými výkonovými zariadeniami na báze kremíka poskytujú polovodiče na báze GaN vynikajúci výkon pri prevádzkových podmienkach vysokého napätia, vysokej frekvencie a vysokej teploty a ponúkajú výnimočnú energetickú účinnosť. Najmä 650 V E-Mode GaN HEMT vyniká vysokorýchlostným spínacím výkonom a robustnou prevádzkovou stabilitou, vďaka čomu je vhodný pre infraštruktúru nabíjania EV, systémy konverzie energie vo veľkokapacitných dátových centrách a pokročilé 5G sieťové zariadenia.

V roku 2022, keď bol trh so zloženými polovodičmi ešte len v plienkach, spoločnosť DB HiTek identifikovala GaN a SiC ako kľúčové faktory rastu a odvtedy významne investovala do vývoja procesov. Hovorca spoločnosti DB HiTek poznamenal: „DB HiTek si vybudovala celosvetovo uznávanú pozíciu v oblasti výkonových polovodičových technológií na báze kremíka vrátane vývoja prvého 0,18 µm BCDMOS procesu v odvetví. Pridaním procesných kapacít GaN očakávame zvýšenie konkurencieschopnosti spoločnosti vďaka širokému technologickému portfóliu."

Po dokončení procesu HEMT pre 650 V GaN plánuje DB HiTek do konca roka 2026 zaviesť proces GaN pre 200 V a proces GaN pre 650 V optimalizovaný pre zaradenie integrovaných obvodov (IC). Spoločnosť sa do budúcnosti zameriava na rozšírenie svojej platformy GaN v širšom spektre napätia v súlade s potrebami trhu a požiadavkami zákazníkov.

Na podporu týchto iniciatív rozširuje DB HiTek priestory čistej prevádzky spoločnosti Fab2, ktorá sa nachádza v juhokórejskom Chungcheongbuk-do. Rozšírenie by malo zvýšiť kapacitu približne na 35 000 8-palcových doštičiek mesačne, čo podporí výrobu procesov GaN, BCDMOS a SiC. Po dokončení sa celková mesačná kapacita výroby waferov spoločnosti DB HiTek zvýši zo 154 000 na 190 000 waferov, teda o 23 %.

Spoločnosť DB HiTek sa medzitým zúčastní konferencie ICSCRM (Medzinárodná konferencia o karbide kremíka a súvisiacich materiáloch) 2025, ktorá je naplánovaná na 15. – 18. septembra na výstavisku BEXCO v meste Busan. Na tomto globálnom priemyselnom fóre spoločnosť DB HiTek vyzdvihne pokrok vo vývoji procesov SiC popri technológiách GaN a BCDMOS a bude priamo spolupracovať so zákazníkmi a lídrami v tomto odvetví.

Logo - https://mma.prnewswire.com/media/2656225/image_5026888_21003402_Logo.jpg

UPOZORNENIE: Upozorňujeme odberateľov, že materiály označené skratkou OTS sú poskytované v rámci Originálnej textovej služby a za ich obsah nesie zodpovednosť zadávateľ.